تحلیل و تفسیر آنالیز Hall effect
تحلیل و تفسیر آنالیز Hall Effect
اثر هال یکی از آنالیزهای دقیق و پرکاربرد در مبحث پدیده های ترابرد بار الکتریکی است که به طور گسترده در تحقیقات و صنعت نیمه هادی های آمورف مورد مطالعه قرار گرفته است.
اساس تکنیک اثر هال، انحراف الکترون ها (حفره ها) در یک نیمه هادی نوع n (نوع p) با جریان عمود بر میدان مغناطیسی است. در واقع در آنالیز اثر هال از میدان های الکتریکی و مغناطیسی متقاطع برای به دست آوردن اطلاعات در مورد علامت و تحرک حامل های بار، چکالی حامل های بار ، مقاومت سطحی و … استفاده می شود.
در گروه تخصصی شرکت نانوتحلیل خدماتی نظیر مشاوره و تفسیر نتایج حاصل از آزمون Hall effect توسط متخصصین برای متقاضیان گرامی انجام می پذیرد.
نوع خدمت | تعرفه |
رسم نمودار های مقاومت/چگالی حامل ها / تحرک حامل ها برحسب دما و تحلیل آنها | |
تفسیر نتایج مقاومت سحطی/ تحرک حامل ها/ چگالی حامل بار و.. | |
*تفسیر کلی همه یا برخی از پارامترها به همراه توضیحات تخصصی در قالب فایل Word |
*این خدمت طبق درخواست متقاضی و هماهنگی با کارشناسان قابل انجام است.