آنالیز اثر هال(HALL EFFECT)

آنالیز اثر هال (HALL EFFECT) از حرکت ذرات باردار در دو میدان توام الکتریکی، مغناطیسی ناشی می شود. وقتی یک جریان الکتریکی در طول یک رسانا یا نیم رسانای تیغه ای شکل بر قرار باشد در این رسانا ( یا نیم رسانا ) در میدانی مغناطیسی عمود بر سطع تیغه باشد بر همکنش حامل های بار و میدان مغناطیسی موجب می شود که یک اختلاف پتانسیل الکتریکی به تدریج در راستای عمود بر میدان مغناطیسی، جریان الکتریکی در رسانا یا نیم رسانا به وجود آید.

مشخصات دستگاه

میدان مغناطیسی: 5/0 تسلا
کنترل دمایی :
از 80 کلوین تا 350 کلوین
از دمای اتاق تا 557 کلوین
جریان ورودی: 1 نانوآمپر الی 20میلی آمپر
سایز نمونه برای اندازه گیری : 5×5 میلیمتر الی 20×20 میلیمتر با ضخامت کمتر از 2 میلیمتر

پارامترهای قابل اندزه گیری:

تراکم بالک
تراکم صفحه ای
مقاومت بالک
مقاومت صفحه ای
رسانندگی
مقاومت مغناطیسی
تحرک
ضریب میانگین هال
تعیین نوع حامل ها