روش اسپاترینگ (کندوپاش)

اسپاترینگ (کندوپاش) یک روش فیزیکی برای رشد لایه های نازک می باشد. در این روش امکان سنتز لایه های اکسیدی و غیراکسیدی رسانا و نیمرسانا در ضخامت های مختلف وجود دارد. درفرایند کندوپاش، سطح ماده هدف که از جنس ماده پوشش‌دهنده است، با ذرات پر‌انرژی (50 تا 1000 الکترون ولت) بمباران می‌شود. به این ترتیب، اتم‌های هدف به بیرون از آن پرتاب شده و روی زیرلایه مورد نظرمی‌نشیند.
در این روش می توان از گازهای بی اثر یا فعال برای لایه نشانی استفاده است.

اسپاترینگ DC

در روش اسپاترینگ DCاز منبع تغذیه مستقیم جهت انجام فرآیند کندوپاش استفاده می شود. این روش مناسب برای لایه نشانی لایه های فلزی و غیر فلزی می باشد.

اسپاترینگ RF

در روش اسپاترینگ RF از یک منبع متناوب با فرکانس () جهت انجام فرآیند کندوپاش استفاده می شود.
این روش برای لایه نشانی لایه های نیمرسانا استفاده می شود.